Закончился
504 359 ₽
Вендор
SAMSUNGФорм-фактор
M.2 2280ИНТЕРФЕЙС
PCI-E x4Основные характеристики
Вендор
SAMSUNG
Форм-фактор
M.2 2280
ИНТЕРФЕЙС
PCI-E x4
Время наработки на отказ
1500000 ч
Потребляемая мощность
5.3 Вт
Потребляемая мощность
5.3 Вт
Максимальная скорость записи
2100 Мб/с
Объем накопителя
1024
Буферная память
1024 МБ
Максимальная скорость чтения
3500 Мб/с
Тип памяти NAND
V-NAND
Ресурс TBW
800 Tb
Категория Применения (SSD)
1TB
Поддержка NVMe
ДА
Срок гарантии
60 мес.
Контроллер NAND
Samsung Polaris
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
Накопитель SSD 2.0 Tb M.2 2280 Samsung 960 PRO 3D MLC NVMe (PCI-Ex)
MZ-V6P2T0BW
Форм-фактор: 2280
Тип: SSD
Закончился
1 167 481 ₽
Накопитель SSD 512 Gb M.2 2280 Samsung 960 PRO 3D MLC NVMe 1.2 (PCI-Ex)
MZ-V6P512BW
Вендор: SAMSUNG
Форм-фактор: M.2 2280
Закончился
265 180 ₽
Накопитель SSD 500 Gb M.2 2280 Samsung 960 EVO 3D TLC NVMe
MZ-V6E500BW
Форм-фактор: M.2
Скорость записи/Скорость чтения Мб/с: 1800/3200
Закончился
196 302 ₽
Твердотельный накопитель PNY CS900 Series SATA-III 480Gb 2,5", TLC, R550/W470 Mb/s, MTBF 2M (Retail)
SSD7CS900-480-PB
Форм-фактор: 2.5"
Тип: SSD
Закончился
6 187 ₽
Твердотельный накопитель PNY 120GB 2.5'' CS900 SSD SATA 6Gb/s 3D NAND TLC R/W 515/490 MB/s MTBF 2 million hours
SSD7CS900-120-PB
Форм-фактор: 2.5"
Тип: SSD
В наличии
1 320 ₽