В наличии
7 819 ₽
Форм-фактор
SODIMMТип памяти
UnbufferedКоличество ранков
2Основные характеристики
Форм-фактор
SODIMM
Тип памяти
Unbuffered
Количество ранков
2
Стандарт памяти
DDR4
Низкопрофильная
Нет
Количество контактов
260
Ширина (мм)
69.6
Высота (мм)
30
Ссылка на описание
https //semiconductor.samsung.com/dram/module/sodimm/m471a4g43ab1-cwe/
Комплект поставки
Модуль памяти
Поддержка ECC
Нет
Серия продукции
M471
Вид поставки
OEM
Объем одного модуля, ГБ
32
Количество модулей в комплекте, шт
1
Эффективная частота, МГц
3200
Пропускная способность, Мб/с
25600
CAS Latency (CL)
22
Вид поставки
OEM
Напряжение питания, В
1.2
Суммарный объем, ГБ
32
Количество чипов на модуле, шт
16
Нормальная операционная температура, °C
85
Наличие радиатора
Нет
Тип памяти
Unbuffered
Тип памяти
Unbuffered
CAS Latency (CL)
22
Объем одного модуля, ГБ
32
Количество модулей в комплекте, шт
1
Пропускная способность, Мб/с
25600
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
Оперативная память 16GB Innodisk DDR4 3200 SO DIMM Ultra Temperature Industrial Memory Non-ECC, 1.2V, 2Rx8, 1GX8, -40°C to 125°C, Bulk
M4S0-AGM1OEEM
Форм-фактор: SODIMM
Тип памяти: Unbuffered
В наличии
27 336 ₽
Модуль памяти 8GB Hikvision DDR4 3200 SO DIMM HKED4082CAB1G4ZB1/8G CL22, 1.2V, 260 pin, RTL (085874)
HKED4082CAB1G4ZB1/8G
Форм-фактор: SODIMM
Тип памяти: Unbuffered
Закончился
1 480 ₽
Оперативная память AD5S480016G-S AD5S480016G-S Non-ECC, CL40, 1.1V, RTL (936592)
AD5S480016G-S
Форм-фактор: SODIMM
Тип памяти: Unbuffered
Закончился
5 356 ₽
Оперативная память 32GB AMD Radeon™ DDR4 3200 SO DIMM R9 Gamer Series Gaming Memory R9432G3206S2S-U Non-ECC, CL16, R9432G3206S2S-U 1.2V, RTL
R9432G3206S2S-U
Форм-фактор: SODIMM
Тип памяти: Unbuffered
Закончился
6 401 ₽
Модуль памяти для ноутбука SODIMM 16GB PC21300 DDR4 SO KVR26S19S8/16 KINGSTON
KVR26S19S8/16
Vendor Homepage: www.kingston.com/dataSheets/KVR26S19S8_16.pdf
Частота работы оперативной памяти: 2666
В наличии
3 932 ₽