Закончился
3 111 ₽
Форм-фактор
SODIMMТип памяти
UnbufferedСтандарт памяти
DDR3Основные характеристики
Форм-фактор
SODIMM
Тип памяти
Unbuffered
Стандарт памяти
DDR3
Низкопрофильная
Нет
Количество контактов
204
Ширина (мм)
67.6
Высота (мм)
30
Поддержка ECC
Нет
Вид поставки
RTL
Объем одного модуля, ГБ
8
Количество модулей в комплекте, шт
1
Эффективная частота, МГц
1600
Пропускная способность, Мб/с
12800
CAS Latency (CL)
11
Вид поставки
RTL
Напряжение питания, В
1.5
Суммарный объем, ГБ
8
Количество чипов на модуле, шт
8
RAS to CAS Delay (tRCD)
11
Row Precharge Delay (tRP)
11
Activate to Precharge Delay (tRAS)
24
Нормальная операционная температура, °C
85
Расширенная операционная температура, °C
95
Тип памяти
Unbuffered
Тип памяти
Unbuffered
CAS Latency (CL)
11
Объем одного модуля, ГБ
8
Количество модулей в комплекте, шт
1
Пропускная способность, Мб/с
12800
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
Память для ноутбука 16GB Samsung DDR4 2666 SO DIMM M471A2K43DB1-CTD Non-ECC, CL19, 1.2V, 2Rx8, Bulk
M471A2K43DB1-CTD
Форм-фактор: SODIMM
Тип памяти: Unbuffered
Закончился
9 003 ₽
Оперативная память 16GB AMD Radeon™ DDR4 2133 SO DIMM R7 Performance Series R7416G2133S2S-U Non-ECC, CL15, 1.2V, RTL, (182309)
R7416G2133S2S-U
Форм-фактор: SODIMM
Тип памяти: Unbuffered
Закончился
7 258 ₽
Оперативная память R9416G3206S2S-UO DDR4 16GB 3200Mhz So-DIMM 1.2V Bulk/Tray
R9416G3206S2S-UO
Форм-фактор: SODIMM
Тип памяти: Unbuffered
Закончился
2 734 ₽
Оперативная память R948G3206S2S-UO DDR4 8GB 3200Mhz So-DIMM 1.2V Bulk/Tray
R948G3206S2S-UO
Форм-фактор: SODIMM
Тип памяти: Unbuffered
В наличии
1 772 ₽
Оперативная память R7432G2606S2S-U DDR4 32Gb 2666MHz So-DIMM 1.2V Retail
R7432G2606S2S-U
Форм-фактор: SODIMM
Тип памяти: Unbuffered
Закончился
5 476 ₽