string(47) "col-xxl-2-1 col-lg-6 col-md-6 col-sm-6 col-xs-6" Купить Память Samsung DDR4 16GB RDIMM (PC4-21300) 2666MHz ECC Reg 1.2V (M393A2K40BB2-CTD) M393A2K40BB2-CTD7Y по низкой цене
Закончился
Цену для юридических лиц запрашивайте по почте zakaz@comparema.ru
10 572 ₽
Тип оперативной памяти
DDR4
Количество контактов
288
Поддержка ECC
Да
Все характеристики

Основные характеристики

Тип оперативной памяти
DDR4
Количество контактов
288
Поддержка ECC
Да
Напряжение (В)
1.2000
Частота функционирования, МГц
2666
Пропускная способность, Мб/сек.
21300
Объём, Мб
16384
Наличие буфера на модуле памяти (Registered)
Да
Форм-фактор оперативной памяти
RDIMM
Напряжение (В)
1.2000
Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Модуль памяти для СХД DDR4 4GB ECC D4EU01-4G SYNOLOGY
D4EU01-4G
Тип оперативной памяти: DDR4 Объем модуля памяти: 4Гб
В наличии
4 713 ₽
Модуль памяти HUAWEI DDR4 32Гб RDIMM/ECC 1.2 В 06200317
06200317
Тип оперативной памяти: DDR4 Форм-фактор модуля: 288-pin DIMM
Закончился
25 457 ₽
Модуль памяти SUPERMICRO DDR4 64Гб LRDIMM/ECC 2666 МГц Множитель частоты шины 19 1.2 В MEM-DR464L-HL03-LR26
MEM-DR464L-HL03-LR26
Частота работы оперативной памяти: 2666 МГц Тип оперативной памяти: DDR4
Закончился
28 837 ₽
Модуль памяти MICRON DDR4 32Гб RDIMM/VLP 2933 МГц Множитель частоты шины 21 1.2 В MTA18ADF4G72PZ-2G9B1
MTA18ADF4G72PZ-2G9B1
Частота работы оперативной памяти: 2933 МГц Тип оперативной памяти: DDR4
Закончился
25 260 ₽
Модуль памяти MICRON DDR4 8Гб RDIMM/ECC 3200 МГц Множитель частоты шины 22 1.2 В Организация чипов 1024Mx72 MTA9ASF1G72PZ-3G2R1
MTA9ASF1G72PZ-3G2R1
Частота работы оперативной памяти: 3200 МГц Тип оперативной памяти: DDR4
Закончился
6 944 ₽
0
0