Закончился
1 095 ₽
Форм-фактор
SODIMMТип памяти
UnbufferedКоличество ранков
2Основные характеристики
Форм-фактор
SODIMM
Тип памяти
Unbuffered
Количество ранков
2
Стандарт памяти
DDR3
Низкопрофильная
Нет
Количество контактов
204
Ширина (мм)
67.6
Высота (мм)
30
Поддержка ECC
Нет
Серия продукции
Radeon R3 Value
Вид поставки
RTL
Объем одного модуля, ГБ
8
Количество модулей в комплекте, шт
1
Эффективная частота, МГц
1333
Пропускная способность, Мб/с
10600
CAS Latency (CL)
9
Вид поставки
RTL
Напряжение питания, В
1.5
Суммарный объем, ГБ
8
Количество чипов на модуле, шт
16
RAS to CAS Delay (tRCD)
9
Row Precharge Delay (tRP)
9
Activate to Precharge Delay (tRAS)
24
Нормальная операционная температура, °C
85
Расширенная операционная температура, °C
95
Наличие радиатора
Нет
Тип памяти
Unbuffered
Тип памяти
Unbuffered
CAS Latency (CL)
9
Объем одного модуля, ГБ
8
Количество модулей в комплекте, шт
1
Пропускная способность, Мб/с
10600
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
Модуль памяти 4GB Samsung DDR4 2666 SO DIMM M471A5244CB0-CTD Non-ECC, CL19, 1.2V, 1Rx16, 512x64, Bulk
M471A5244CB0-CTDD0
Частота работы оперативной памяти: 2666 МГц
Тип оперативной памяти: DDR4
Закончился
2 545 ₽
Оперативная память Samsung DDR4 32GB SO-DIMM (PC4-21300) 2666MHz 1.2V (M471A4G43MB1-CTDDY)
M471A4G43MB1-CTDDY
Форм-фактор: SoDIMM
Тип оперативной памяти: DDR4
Закончился
17 033 ₽
Модуль памяти 16GB Samsung DDR4 2666 SO DIMM M471A2K43CB1-CTD Non-ECC, CL19, 1.2V, 2Rx8, 1024x128, Bulk
M471A2K43CB1-CTDD0
Частота работы оперативной памяти: 2666 МГц
Тип оперативной памяти: DDR4
Закончился
6 127 ₽
Модуль памяти Samsung SO-DIMM DDR4 8GB PC21300 SO M471A1K43CB1-CTDD0 SAMSUNG
M471A1K43CB1-CTDD0
Частота работы оперативной памяти: 2666 МГц
Тип оперативной памяти: DDR4
Закончился
4 647 ₽
Модуль памяти SODIMM DDR3 8GB Crucial
CT102464BF160B
Частота работы оперативной памяти: 1600 МГц
Тип оперативной памяти: DDR3
Закончился
3 676 ₽