В наличии
1 701 ₽
Форм-фактор
SODIMMТип памяти
UnbufferedКоличество ранков
2Основные характеристики
Форм-фактор
SODIMM
Тип памяти
Unbuffered
Количество ранков
2
Стандарт памяти
DDR4
Низкопрофильная
Нет
Количество контактов
260
Ширина (мм)
69.6
Высота (мм)
30
Поддержка ECC
Нет
Серия продукции
Radeon R7 Performance
Вид поставки
OEM
Объем одного модуля, ГБ
8
Количество модулей в комплекте, шт
1
Эффективная частота, МГц
2666
Пропускная способность, Мб/с
21300
CAS Latency (CL)
16
Вид поставки
OEM
Напряжение питания, В
1.2
Суммарный объем, ГБ
8
Количество чипов на модуле, шт
8
RAS to CAS Delay (tRCD)
16
Row Precharge Delay (tRP)
16
Activate to Precharge Delay (tRAS)
38
Нормальная операционная температура, °C
85
Расширенная операционная температура, °C
95
Наличие радиатора
Нет
Тип памяти
Unbuffered
Тип памяти
Unbuffered
CAS Latency (CL)
16
Объем одного модуля, ГБ
8
Количество модулей в комплекте, шт
1
Пропускная способность, Мб/с
21300
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
Модуль памяти 4GB PNY DDR4 2666 SO DIMM [MN4GSD42666] Non-ECC, CL19, 1.2V, RTL , (632766)
MN4GSD42666
Форм-фактор: SODIMM
Тип памяти: Unbuffered
Закончился
2 564 ₽
Модуль памяти 16GB PNY DDR4 2666 SO DIMM [MN16GSD42666] Non-ECC, CL19, 1.2V, RTL , (632742)
MN16GSD42666
Форм-фактор: SODIMM
Тип памяти: Unbuffered
Закончился
6 881 ₽
Модуль памяти HX429S17IBK2/64 HX429S17IBK2/64
HX429S17IBK2/64
Форм-фактор: SODIMM
Тип памяти: Unbuffered
Закончился
26 583 ₽
Модуль памяти 4GB ADATA DDR4 2666 SO DIMM Premier AD4S2666W4G19-S Non-ECC, CL19, 1.2V, 512x8, RTL (461674)
AD4S2666W4G19-S
Форм-фактор: SODIMM
Тип памяти: Unbuffered
Закончился
1 696 ₽
Модуль памяти HX426S16IB/32 HX426S16IB/32 (304510)
HX426S16IB/32
Форм-фактор: SODIMM
Тип памяти: Unbuffered
Закончился
13 240 ₽