Закончился
26 583 ₽
Форм-фактор
SODIMMТип памяти
UnbufferedСтандарт памяти
DDR4Основные характеристики
Форм-фактор
SODIMM
Тип памяти
Unbuffered
Стандарт памяти
DDR4
Низкопрофильная
Нет
Количество контактов
260
Ширина (мм)
69.6
Высота (мм)
30
Ссылка на описание
https
Поддержка ECC
Нет
Серия продукции
HyperX Impact
Вид поставки
RTL
Объем одного модуля, ГБ
32
Количество модулей в комплекте, шт
2
Эффективная частота, МГц
2993
Пропускная способность, Мб/с
23400
CAS Latency (CL)
17
Вид поставки
RTL
Напряжение питания, В
1.2
Суммарный объем, ГБ
64
Количество чипов на модуле, шт
16
RAS to CAS Delay (tRCD)
19
Row Precharge Delay (tRP)
19
Activate to Precharge Delay (tRAS)
40
Нормальная операционная температура, °C
85
Расширенная операционная температура, °C
95
Тип памяти
Unbuffered
Тип памяти
Unbuffered
CAS Latency (CL)
17
Объем одного модуля, ГБ
32
Количество модулей в комплекте, шт
2
Пропускная способность, Мб/с
23400
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
Модуль памяти 4GB ADATA DDR4 2666 SO DIMM Premier AD4S2666W4G19-S Non-ECC, CL19, 1.2V, 512x8, RTL (461674)
AD4S2666W4G19-S
Форм-фактор: SODIMM
Тип памяти: Unbuffered
Закончился
1 696 ₽
Модуль памяти HX426S16IB/32 HX426S16IB/32 (304510)
HX426S16IB/32
Форм-фактор: SODIMM
Тип памяти: Unbuffered
Закончился
13 240 ₽
Модуль памяти 8GB PNY DDR4 2666 SO DIMM [MN8GSD42666] Non-ECC, CL19, 1.2V, RTL , (632759)
MN8GSD42666
Форм-фактор: SODIMM
Тип памяти: Unbuffered
Закончился
2 827 ₽
Модуль памяти HX429S17IB/32 HX429S17IB/32 Kingston 32GB 2933MHz DDR4 CL17 SODIMM HyperX Impact
HX429S17IB/32
Форм-фактор: SODIMM
Тип памяти: Unbuffered
Закончился
13 421 ₽
Модуль памяти 4GB Samsung DDR4 3200 SO DIMM M471A5244CB0-CWE Non-ECC, CL22, 1.2V, 1Rx16, 512x64, Bulk
M471A5244CB0-CWE
Форм-фактор: SODIMM
Тип памяти: Unbuffered
Закончился
2 007 ₽