Закончился
2 827 ₽
Форм-фактор
SODIMMТип памяти
UnbufferedКоличество ранков
2Основные характеристики
Форм-фактор
SODIMM
Тип памяти
Unbuffered
Количество ранков
2
Стандарт памяти
DDR4
Низкопрофильная
Нет
Количество контактов
260
Ширина (мм)
69.6
Высота (мм)
30
Ссылка на описание
https
Поддержка ECC
Нет
Серия продукции
Performance
Вид поставки
RTL
Объем одного модуля, ГБ
8
Количество модулей в комплекте, шт
1
Эффективная частота, МГц
2666
Пропускная способность, Мб/с
21300
CAS Latency (CL)
19
Вид поставки
RTL
Напряжение питания, В
1.2
Суммарный объем, ГБ
8
Количество чипов на модуле, шт
8
RAS to CAS Delay (tRCD)
19
Row Precharge Delay (tRP)
19
Activate to Precharge Delay (tRAS)
40
Нормальная операционная температура, °C
85
Расширенная операционная температура, °C
95
Тип памяти
Unbuffered
Тип памяти
Unbuffered
CAS Latency (CL)
19
Объем одного модуля, ГБ
8
Количество модулей в комплекте, шт
1
Пропускная способность, Мб/с
21300
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
Модуль памяти HX429S17IB/32 HX429S17IB/32 Kingston 32GB 2933MHz DDR4 CL17 SODIMM HyperX Impact
HX429S17IB/32
Форм-фактор: SODIMM
Тип памяти: Unbuffered
Закончился
13 421 ₽
Модуль памяти 4GB Samsung DDR4 3200 SO DIMM M471A5244CB0-CWE Non-ECC, CL22, 1.2V, 1Rx16, 512x64, Bulk
M471A5244CB0-CWE
Форм-фактор: SODIMM
Тип памяти: Unbuffered
Закончился
2 007 ₽
Модуль памяти для ноутбука 8GB PC19200 DDR4 SO CT8G4S24AM CRUCIAL
CT8G4S24AM
Частота работы оперативной памяти: 2400 МГц
Тип оперативной памяти: DDR4
Закончился
3 071 ₽
Память для ноутбука 8GB Afox DDR3 1600 SO DIMM AFSD38BK1P Non-ECC, CL11, 1.5V, RTL
AFSD38BK1P
Форм-фактор: SODIMM
Тип памяти: Unbuffered
Закончился
3 111 ₽
Память для ноутбука 16GB Samsung DDR4 2666 SO DIMM M471A2K43DB1-CTD Non-ECC, CL19, 1.2V, 2Rx8, Bulk
M471A2K43DB1-CTD
Форм-фактор: SODIMM
Тип памяти: Unbuffered
Закончился
9 003 ₽