Закончился
13 421 ₽
Форм-фактор
SODIMMТип памяти
UnbufferedСтандарт памяти
DDR4Основные характеристики
Форм-фактор
SODIMM
Тип памяти
Unbuffered
Стандарт памяти
DDR4
Низкопрофильная
Нет
Количество контактов
260
Ширина (мм)
69.6
Высота (мм)
30
Ссылка на описание
https
Поддержка ECC
Нет
Серия продукции
HyperX Impact
Вид поставки
RTL
Объем одного модуля, ГБ
32
Количество модулей в комплекте, шт
1
Эффективная частота, МГц
2993
Пропускная способность, Мб/с
23400
CAS Latency (CL)
17
Вид поставки
RTL
Напряжение питания, В
1.2
Суммарный объем, ГБ
32
Количество чипов на модуле, шт
16
RAS to CAS Delay (tRCD)
19
Row Precharge Delay (tRP)
19
Activate to Precharge Delay (tRAS)
40
Нормальная операционная температура, °C
85
Расширенная операционная температура, °C
95
Тип памяти
Unbuffered
Тип памяти
Unbuffered
CAS Latency (CL)
17
Объем одного модуля, ГБ
32
Количество модулей в комплекте, шт
1
Пропускная способность, Мб/с
23400
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
Модуль памяти 4GB Samsung DDR4 3200 SO DIMM M471A5244CB0-CWE Non-ECC, CL22, 1.2V, 1Rx16, 512x64, Bulk
M471A5244CB0-CWE
Форм-фактор: SODIMM
Тип памяти: Unbuffered
Закончился
2 007 ₽
Модуль памяти для ноутбука 8GB PC19200 DDR4 SO CT8G4S24AM CRUCIAL
CT8G4S24AM
Частота работы оперативной памяти: 2400 МГц
Тип оперативной памяти: DDR4
Закончился
3 071 ₽
Память для ноутбука 8GB Afox DDR3 1600 SO DIMM AFSD38BK1P Non-ECC, CL11, 1.5V, RTL
AFSD38BK1P
Форм-фактор: SODIMM
Тип памяти: Unbuffered
Закончился
3 111 ₽
Память для ноутбука 16GB Samsung DDR4 2666 SO DIMM M471A2K43DB1-CTD Non-ECC, CL19, 1.2V, 2Rx8, Bulk
M471A2K43DB1-CTD
Форм-фактор: SODIMM
Тип памяти: Unbuffered
Закончился
9 003 ₽
Оперативная память 16GB AMD Radeon™ DDR4 2133 SO DIMM R7 Performance Series R7416G2133S2S-U Non-ECC, CL15, 1.2V, RTL, (182309)
R7416G2133S2S-U
Форм-фактор: SODIMM
Тип памяти: Unbuffered
Закончился
7 258 ₽